快速生长KDP晶体的光学性质研究

被引：10

作者：

孙洵

许心光

王正平

王圣来

李毅平

顾庆天

房昌水

高樟寿

机构：

[1] 山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室济南,济南,济南,济南,济南,济南,济南,济南

来源：

人工晶体学报 | 2002年 / 05期

关键词：

KDP晶体; 快速生长; 光学性质;

D O I：

10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2002.05.004

中图分类号：

O782.1 [];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

本文研究了快速生长的KDP晶体光学性质 ,结果表明快速生长的KDP晶体的光学性质低于传统降温法生长的晶体 ,原料中阴离子杂质的存在是造成这一结果的主要原因 ,确保快速生长晶体质量的首要条件是提高原料的纯度。

引用

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