纳米硅(nc-Si:H)晶体硅(c-Si)异质结太阳电池的数值模拟分析

被引：25

作者：

胡志华

廖显伯

曾湘波

徐艳月

张世斌

刁宏伟

孔光临

机构：

[1] 中国科学院半导体研究所

[2] 凝聚态物理中心

[3] 表面物理国家重点实验室

来源：

物理学报 | 2003年 / 01期

关键词：

nc-Si:H/c-Si异质结; 太阳电池; 计算机模拟;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM914 [光电池];

学科分类号：

080502 ;

摘要：

运用美国宾州大学发展的AMPS程序模拟分析了n 型纳米硅 (n+ nc Si:H) p 型晶体硅 (p c Si)异质结太阳电池的光伏特性 .分析表明 ,界面缺陷态是决定电池性能的关键因素 ,显著影响电池的开路电压 (VOC)和填充因子(FF) ,而电池的光谱响应或短路电流密度 (JSC)对缓冲层的厚度较为敏感 .对不同能带补偿 (bandgapoffset)的情况所进行的模拟分析表明 ,随着ΔEc 的增大 ,由于界面态所带来的开路电压和填充因子的减小逐渐被消除 ,当ΔEc达到 0 5eV左右时界面态的影响几乎完全被掩盖 .界面层的其他能带结构特征对器件性能的影响还有待进一步研究 .最后计算得到了这种电池理想情况下 (无界面态、有背面场、正背面反射率分别为 0和 1)的理论极限效率 ηmax=31 17% (AM1 5 ,10 0mW cm2 ,0 4 0— 1 10 μm波段 ) .

引用

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