氧化对GaN基LED透明电极接触特性的影响

被引：8

作者：

秦志新

陈志忠

于彤军

张昊翔

胡晓东

杨志坚

李忠辉

张国义

机构：

[1] 北京大学物理学院介观物理实验室

[2] 北京大学物理学院介观物理实验室北京　

[3] 北京　

来源：

液晶与显示 | 2004年 / 01期

关键词：

氮化镓基LED; 欧姆接触; 氧化;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN312.8 [];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

研究了热退火对InGaN/GaN多量子阱LED的Ni/Au p GaN欧姆接触的影响。发现在空气和N2气氛中交替地进行热退火的过程中Ni/Au接触特性显示出可逆现象。Ni/Au p GaN接触的串联电阻在空气中随合金化时间逐渐减小,在随后的N2中的热退火后会使该串联电阻增加,但在空气中再次热退火能使接触特性得到恢复。同时对Ni/Au p GaN接触在空气中合金化过程中的层反转的成因进行了讨论。

引用

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