重复经颅磁刺激对脑缺血后神经干细胞增殖和迁移的影响

被引:8
作者
辜建伟 [1 ,2 ]
吴碧华 [1 ,2 ]
杨云凤 [1 ,2 ]
李芸 [1 ,2 ]
李雪梅 [1 ,2 ]
张小东 [1 ,2 ]
机构
[1] 川北医学院神经疾病研究所
[2] 川北医学院附属医院神经内科
关键词
神经干细胞; 重复经颅磁刺激; 脑缺血;
D O I
暂无
中图分类号
R743.3 [急性脑血管疾病(中风)];
学科分类号
100204 [神经病学];
摘要
目的:探讨重复经颅磁刺激(repetitive transcranial magnetic stimulation,rTMS)对大鼠脑缺血后神经干细胞和新生神经细胞的影响。方法:选用成年雄性SD大鼠54只,采用开颅电凝法制作大鼠左侧局灶性大脑中动脉梗塞模型,随机分为假刺激组、高频低强度刺激组和高频高强度刺激组。在缺血后连续刺激1周和2周处死大鼠,免疫组化检测大鼠大脑缺血侧Br-du和Nestin阳性细胞表达,比较相同时间点各组间大鼠神经功能NSS评分,了解rTMS对脑缺血神经功能恢复的影响。结果:高频阈上rTMS治疗可改善脑缺血后神经功能的恢复,其治疗效应与rTMS强度和时间相关,并能有效增加缺血侧BrdU阳性细胞数和Nestin标记的新生神经细胞数(P<0.05)。结论:高频阈上rTMS可促进脑缺血损伤后内源性神经干细胞的增殖及迁移,有助于神经功能的恢复。
引用
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页码:318 / 322
页数:5
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共 2 条
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