激光退火法低温制备多晶硅薄膜的研究

被引：16

作者：

刘传珍

杨柏梁

李牧菊

吴渊

张玉

李轶华

邱法斌

黄锡珉

机构：

[1] 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

[2] 北方液晶工程研究开发中心!吉林长春

[3] 中国科学院长春光学

来源：

关键词：

p-Si薄膜; 激光退火; 能量密度;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304.055 [];

学科分类号：

摘要：

利用激光退火的方式在低温下制备多晶硅薄膜，采用ＸＲＤ、ＳＥＭ等分析手段，进行了表征与分析，对晶化的阈值能量密度进行了计算，并对激光退火的机理进行了探讨。研究结果表明：ａ－Ｓｉ晶化的阈值能量密度与薄膜的厚度无关，在晶化区内，晶粒尺寸的大小随着照射到薄膜表面的激光能量密度的增加而增加。

引用

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页数：7

共 6 条

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Review and analysis of laser annealing. Bell A E. RCA Review . 1979

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