Bi12SiO20晶体生长及其形态

被引：5

作者：

徐学武

沈炳孚

廖晶莹

陈显求

何崇藩

机构：

[1] 中国科学院上海硅酸盐研究所,中国科学院上海硅酸盐研究所,中国科学院上海硅酸盐研究所,中国科学院上海硅酸盐研究所,中国科学院上海硅酸盐研究所上海,,上海,,上海,,上海,,上海,

来源：

人工晶体学报 | 1992年 / 01期

关键词：

硅酸铋晶体; 引上法晶体生长; 生长特性; 晶体结构; 晶体形态;

D O I：

10.16553/j.cnki.issn1000-985x.1992.01.002

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

采用浮称自动等径技术提拉生长出〈001〉、〈110〉及〈111〉三种取向的Bi12SiO20单晶（简称 BSO）。尺寸达Φ35×65mm。文中揭示了不同取向生长 BSO 单晶的形态显露规律,并从晶体结构和晶体生长形态学的角度分析讨论了生长过程中 BSO 晶体的形态演变,指出极性{112}晶面的存在是〈110〉、〈111〉晶体生长过程中形态演变的内在原因。选择适合的转速、保证晶体在良好的晶形下生长是生长质量高、利用率高的 BSO 大单晶的关键。

引用

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