共 2 条
TCSC抑制次同步谐振的机理研究及其参数设计
被引:63
作者:
葛俊
童陆园
耿俊成
陈全世
韩光
机构:
[1] 清华大学汽车安全与节能国家重点实验室
[2] 清华大学电机系
来源:
关键词:
可控串联电容补偿(TCSC);
次同步谐振;
频率阻抗特性;
临界导通角;
D O I:
10.13334/j.0258-8013.pcsee.2002.06.006
中图分类号:
TM761 [自动调整];
学科分类号:
摘要:
正确地分析TCSC频率阻抗特性是评价TCSC抑制SSR能力的基础。该文给出了考虑导通角变化的三维频率阻抗图,该图清晰地表明:当目标导通角小于临界导通角时,TCSC低频阻抗特性存在一个容性曲面,只有越过临界导通角后低频视在阻抗才表现为感性。基于IEEE第一基准模型的数字仿真分析验证了频率阻抗计算方法和结果的正确性,深入阐明了TCSC抑制SSR的物理机理以及要实现完全抑制SSR需满足的工作条件。在此基础上还讨论了TCSC主电路的参数设计原则,使得TCSC不仅能满足工频基波阻抗调节特性的要求,而且能最大限度地提高对SSR的抑制能力。
引用
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