长波长PIN/HBT集成光接收机前端噪声分析

被引：1

作者：

崇英哲

机构：

[1] 北京邮电大学北京

来源：

中兴通讯技术 | 2004年 / 04期

关键词：

光接收机前端; 磷化铟基异质结双极晶体管; PIN光电探测器; 噪声电流; 功率谱密度;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN851 [接收机：按形式分];

学科分类号：

摘要：

文章研究磷化铟(InP)基异质结双极晶体管(HBT)和PIN光电二极管(PIN-PD)单片集成技术,利用器件的小信号等效电路详细计算了长波长PIN/HBT光电子集成电路(OEIC)光接收机前端等效输入噪声电流均方根(RMS)功率谱密度。分析表明:对于高速光电器件,当频率在100MHz～2GHz范围内时,基极电流引起的散粒噪声和基极电阻引起的热噪声起主要作用;频率大于5GHz时,集电极电流引起的散粒噪声和基极电阻引起的热噪声起主要作用。在上述结论的基础上,文章最后讨论了在集成前端设计的过程中减小噪声影响的基本方法。

引用

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