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SnO2薄膜的MOCVD技术及其光电性质
被引：1
作者：
罗文秀
淳于宝珠
穆劲
冯绪胜
杨孔章
曹宝诚
机构：
[1] 山东大学化学系,山东大学化学系,山东大学化学系,山东大学化学系,山东大学化学系,山东大学物理系,
来源：
关键词：
metallorganic chemical vapour deposition(MOCVD);
Stannic oxide;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
<正> 引言SnO2是一种宽半导体带隙材料（Eg～3.5eV）,对Ⅲ,Ⅴ族元素掺杂有效。在可见光波段的透明度高（折射系数 n～1.9）,在室温下对酸和碱的抗腐蚀能力强,可用于制做光电极、电阻器、透明加热元件、透明抗反射镀层以及多种器件的环境保护。采用 MOCVD 技术生长 SnO2薄膜,是七十年代初开始的。最早是 Aoki 和 Sasahur-a 及 Muto 和 Furuuchi,用二甲基氯化锡为物质源（MO）进行化学气相沉积（CVD）制备 SnO2 薄膜。后来人们采用了四甲基锡 Sn（CH3）4为制备薄膜的物质
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页码：126 / 130
页数：5
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