Xilinx SRAM型FPGA抗辐射设计技术研究

被引：108

作者：

邢克飞 ^{[1
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杨俊 ^{[1
]}

王跃科 ^{[1
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肖争鸣 ^{[2
]}

周永彬 ^{[1
]}

机构：

[1] 国防科技大学机电工程与自动化学院

[2] 上海航天电子有限公司

来源：

宇航学报 | 2007年 / 01期

关键词：

可编程逻辑门阵列; 总剂量效应; 单粒子效应; 星载信号处理平台;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN791 [];

学科分类号：

摘要：

针对Xilinx SRAM型FPGA在空间应用中的可行性,分析了Xilinx SRAM型FPGA的结构,以及空间辐射效应对这种结构FPGA的影响,指出SRAM型的FPGA随着工艺水平的提高、器件规模的增大和核电压的降低,抗总剂量效应不断提高,抵抗单粒子效应,尤其是单粒子翻转和单粒子瞬态脉冲的能力降低。分析了FPGA综合后常见的Half-latch在辐射环境中的影响并结合实际工程实践给出了解决上述问题的一些有用办法和注意事项,如,冗余设计、同步设计、算术逻辑运算结果校验、自检等。最后还提出一种基于COTS器件的“由顶到底”的星载信号处理平台结构,分析了这种结构在抵抗辐射效应时的优势。有关FPGA抗辐射的可靠性设计方法已经在某卫星通信载道中成功应用,并通过了各种卫星环境试验,该技术可以为有关航天电子设备设计提供参考。

引用

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页数：8