定植起,遮阳网遮光率60%.2.4地温和嫁接接合面大小黄瓜定植后在土壤温度25.3℃(标准温)、27.5℃(中温)、32.9℃(中高温)、35.1℃(高温)4个处理中,导管中形成侵填体量在高地温下增加,而且,嫁接接合面小(靠接法,接合部长2mm)情况下,侵填体形成越多。在接合面大(接合部长5mm)情况下,侵填体形成少。高地温量引起急性凋萎,这正好与瓜类生长后期温度高,易发生急性凋萎病的情况相符合.黄瓜根系生长最适宜的地温是20-23℃,地温过高,引起根的高温障碍,可能引起根系活力下降,吸收肥水能力差,导致易发生急性调美的产生。嫁接接合面大小,关系到嫁接成活过程中砧木与接穗的导管形成数量和质量。接合面小,导管连接差,影响矿物质吸收和同化产物运转。接合面小,在生长后期结果多的情况下,由于负担过重,易产生急性凋萎。2.5M。含量很多试验表明,西瓜的葫芦砧嫁接苗含M。量比南瓜砧要低。甜瓜嫁接在金刚南瓜及新土佐南瓜中各部分含M。量也较自根苗低得多(室园正敏,1984)。M。含量少,往往引起生育后期的叶枯。总之,西瓜、甜瓜、黄瓜坐果至果实成熟期间的急性凋萎症,是由于嫁接苗愈合差,坐果数多,整枝过强,从而嫁接苗根系活力下