CoSi2薄膜内应力的微观机制研究

被引：3

作者：

刘继峰

冯嘉猷

朱静

机构：

[1] 清华大学材料科学与工程系,清华大学材料科学与工程系,清华大学材料科学与工程系北京,北京,北京

来源：

自然科学进展 | 2001年 / 02期

关键词：

CoSi2薄膜; 内应力; 电子密度; 价键理论;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB43 [薄膜技术];

学科分类号：

0805 ;

摘要：

通过晶体价键理论与电子密度理论的结合,推算出CoSi2的表面电子密度,从理论上分析了p型Si衬底的掺杂浓度对CoSi2薄膜内应力的影响,并从实验上给予了验证.

引用

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[1] 晶体价键理论和电子密度理论的沟通 [J].

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自然科学进展, 1999, (03) :39-45

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X光衍射技术基础[M]. 原子能出版社 , 王英华主编, 1993