用于高质量InGaN/GaN MQWs制备的MOCVD配气系统

被引：3

作者：

李培咸

郝跃

机构：

[1] 西安电子科技大学微电子研究所

来源：

关键词：

金属有机化学气相淀积; 多量子阱; 配气系统;

D O I：

10.13922/j.cnki.cjovst.2006.04.013

中图分类号：

TN304.05 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

本文提出了一种新型的MOCVD恒流配气系统,该配气系统可有效地稳定控制温度和压力等关键工艺条件,在多层复杂结构的生长中改善材料质量。本文给出了该配气系统同传统配气方式生长效果的比较,PL对比测试结果表明,该配气系统在多量子阱结构的制备中具有良好的效果。

引用

页码：313 / 316

页数：4