左旋精氨酸—一氧化氮通路在电针保护大鼠急性缺血再灌流性脑损伤中的作用研究

被引:5
作者
许能贵
许冠荪
朱舜丽
孙勇
张道芹
马勤耘
易玮
机构
[1] 安徽中医学院针灸经络研究所
[2] 安徽中医学院科研处
关键词
电针,缺血再灌流性脑损伤,左旋精氨酸——氧化氮通路;
D O I
10.19945/j.cnki.issn.1006-3250.1997.04.024
中图分类号
R245 [针灸学、针灸疗法];
学科分类号
100512 ;
摘要
通过建立大鼠急性缺血再灌流性脑损伤的模型,选用局部脑血流量(r-CBF)、脑含水量和脑组织及血中—氧化氮(NO)含量等为指标,静注外源性NO前体左旋精氨酸(L-arg)、一氧化氮合酶(NOS)抑制剂硝基左旋精氨酸(L-NNA)等物质,探讨L-arg\|NO通路在电针保护缺血性脑损伤过程中的作用。结果:(1)电针可提高r-CBF,降低脑含水量,增高脑组织和血清中的NO,对缺血再灌流(IR)性脑损伤有保护作用;(2)NO前体L-arg静脉注射对IR脑损伤也有保护作用,而NOS抑制剂L-NNA未显示对IR脑损伤的保护作用;(3)L-arg预处理可加强电针的保护作用,L-NNA预处理可使电针效应下降。表明L-arg-NO通路可能参与电针保护IR脑损伤的作用过程
引用
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