采用He-Ne激光诱变选育速生高产茯苓菌

采用He- Ne激光对茯苓菌F9进行了 2次照射诱变处理 ,选育到 2株生长速率和产量均有较大提高的二次激光诱变株F2 . 10及F2 . 9。它们在PDA平板上培养 4d ,生长速率分别比原始菌株F9提高了 91 .1%和86 .8%。摇瓶发酵周期缩短了 2d左右 ,摇瓶发酵 5d后 ,它们的生物量最高 ,分别达到 39. 1g/ 10 .0mL和 37 .7g/ 10. 0mL ,比原始菌株F9培养 7d的最高生物量 2 .4 g/ 10. 0mL分别提高了 6 2 . 9%和 5 7 .1%。经传代培养分析 ,诱变株的产量性状稳定。表明激光诱变是获得高产茯苓菌的有效途径。