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[1]
X-Ray Projection Lithography Using a Fresnel Zone Plate.Jnp .2 N.Koyama,H,Tsuyuzaki,K.Kuroda and A.Shibayama. J.Appl.Phys . 1995
硅微电子技术物理极限的挑战
被引：4
作者：
王阳元
韩汝琦
刘晓彦
康晋锋
机构：
[1] 北京大学微电子研究所
[2] 北京大学微电子研究所 北京
[3] 北京
来源：
关键词：
电子器件;
限制;
物理规律;
栅氧化层;
物理极限;
MOSFET;
硅微电子技术;
互连引线;
光刻系统;
特征尺寸;
共振隧穿器件;
微米尺度;
集成电路设计;
光刻技术;
关态泄漏电流;
D O I：
10.16507/j.issn.1006-6055.1998.03.012
中图分类号：
TN405 [制造工艺];
学科分类号：
080903 ;
1401 ;
摘要：
<正>一、引言 自从五十年前晶体管发明以来,微电子技术无论是从其发展速度和对人类社会生产和生活的影响,都可以说是科学技术史上空前的。微电子技术支撑的微电子产业飞速发展,成为信息产业的基础,其全球的销售额高达2000亿美元。三十多年来,为了提高电子集成系统的性能,降低成本,器件的特征尺寸不断缩小,制作工艺的加工精度不断提高,同时硅片的面积也在不断增大。IC芯片的集成度大体每隔一年半增长一倍,性能随之提高,IC的特征尺寸
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