半导体断路开关实验研究

被引:9
作者
苏建仓
丁永忠
宋志敏
丁臻捷
刘国治
刘纯亮
机构
[1] 西安交通大学电子与信息工程学院
[2] 西北核技术研究所
[3] 西安交通大学电子与信息工程学院 陕西西安 西北核技术研究所
关键词
半导体断路开关; 脉冲功率; 能量传递效率;
D O I
暂无
中图分类号
TM564 [各种开关];
学科分类号
摘要
介绍了半导体断路开关(SOS)特性参数测试平台和测试方法,并对半导体断路开关的截断阻抗、截断时间、电压增益、输出脉冲半高宽以及能量传递效率等参数进行了实验研究。结果表明,正、反向泵浦时间是影响半导体断路开关特性的最主要因素。实验获得了截断时间、电压增益和能量传递效率与正、反向泵浦时间的依赖关系以及SOS截断过程中的阻抗变化特性。
引用
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共 2 条
  • [1] Grekhov I V,Mesyats G A.Physical basis for high-power semiconductor nanosecond opening switch. IEEE Transactions on Plasma Science . 2000
  • [2] Katsuki S,Majima T,Nagata K,et al.Inactivation of bacillus stearothermophilus by pulsed electric field. IEEE Transactions on Plasma Science . 2000