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急性弥漫性脑肿胀发病机制的实验研究
被引：42
作者：
吴思荣
惠国桢
印其章
机构：
[1] 苏州医学院第一附属医院神经外科
[2] 苏州医学院神经生物研究室
来源：
关键词：
脑肿胀,下丘脑,中脑,延髓;
D O I：
暂无
中图分类号：
R651.1 [颅脑];
学科分类号：
1002 ;
100210 ;
摘要：
目的探讨急性弥漫性脑肿胀的发病机制。方法电解毁损家兔下丘脑背内侧核、中脑网状结构和延髓网状结构，观察脑血流量和颅内压的变化。结果单独毁损引起短暂可逆性脑血流量增加和颅内压增高，联合毁损引起持续不可逆性颅内压增高，脑血流量超早期增加和早期减少，以及早期形成脑水肿。结论大脑血管紧张性调节中枢广泛存在于下丘脑、中脑和延髓，其结构或功能的破坏是急性弥漫性脑肿胀形成的根本基础
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