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亚低温对局灶脑缺血再灌注后脑血流、血脑屏障、神经细胞损伤作用的研究
被引：36
作者：
黄峰平
周良辅
机构：
[1] 上海医科大学华山医院神经外科
来源：
关键词：
脑缺血,再灌注损伤,亚低温;
D O I：
暂无
中图分类号：
R743.302 [];
学科分类号：
摘要：
目的对比研究不同时期亚低温（ＭＨＴ３２℃±０．２℃）对局灶脑缺血再灌注损伤的作用。方法６４只雄性ＳＤ鼠被随机分成常温（ＮＴ）、缺血期亚低温（ＭＨＴｉ）、再灌注期亚低温（ＭＨＴｒ）、缺血期加再灌注期亚低温（ＭＨＴｉ＋ｒ）四组，并用改良Ｋｏｉｚｕｍｉ＇ｓ局灶脑缺血模型，分别观察了动物缺血３小时再灌注３小时过程中，缺血周边和核心区局部脑血流（ｒＣＢＦ）改变，再灌注３小时后血脑屏障（ＢＢＢ）破坏及再灌注７２小时后缺血梗塞灶体积。结果ＭＨＴｉ＋ｒ及ＭＨＴｉ均有改善缺血周边区再灌注后急性高灌注和继发低灌流及核心区持续低灌流、减轻血脑屏障破坏、减少缺血梗塞灶体积的作用。该作用尤以ＭＨＴｉ＋ｒ为明显。ＭＨＴｒ作用有限。结论ＭＨＴｉ＋ｒ对皮层的保护作用较ＭＨＴｉ好。由此可推知，局灶脑缺血再灌注损伤是个持续的过程，亚低温治疗不但要考虑开始时间，其持续时间对疗效具有同样重要价值
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