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基于IBIS模型的高速数字I/O缓冲器的瞬态行为建模
被引：6
作者：
蔡兴建
毛军发
陈建华
李征帆
机构：
[1] 上海交通大学电子工程系!上海
来源：
关键词：
数字集成电路;
IBIS模型;
高速数字I/O缓冲器;
瞬态行为模型;
同步开关器件芯片互连;
D O I：
10.16183/j.cnki.jsjtu.2001.01.002
中图分类号：
TN405 [制造工艺];
学科分类号：
摘要：
引入了一种基于最新版本的 IBIS模型给出的信息构造高速数字 I/O缓冲器的瞬态行为模型的方法 .阐述了从 IBIS建模数据中得到这种瞬时状态转换行为模型的推导过程 ,同时获得了建模所需要的充分条件 .与相应的晶体管级模型相比 ,该方法在获得了更高仿真精度的同时 ,提高了具有大量同步开关器件芯片互连的仿真速度 .最后 ,为了验证模型的有效性 ,给出了该模型和晶体管级模型 (SPICE模型 )模拟结果的比较
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