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4×288 TDI CCD信号读出电路
被引:1
作者
:
李仁豪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
重庆光电技术研究所!重庆
李仁豪
张坤
论文数:
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机构:
重庆光电技术研究所!重庆
张坤
机构
:
[1]
重庆光电技术研究所!重庆
来源
:
半导体光电
|
2000年
/ S1期
关键词
:
电荷耦合器件;
延时积分;
信号读出电路;
HgCdTe;
D O I
:
10.16818/j.issn1001-5868.2000.s1.014
中图分类号
:
TN386.5 [电荷耦合器件];
学科分类号
:
摘要
:
采用硅工艺设计、制作了 4× 2 88TDICCD红外焦平面HgCdTe阵列专用信号读出电路。文章详细介绍了 4× 2 88TDICCD信号读出电路的设计及制作 ,并给出了测试结果。
引用
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页码:56 / 58+61 +61
页数:4
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CCD及其应用原理[M]. 华中理工大学出版社 , 刘贤德 主编, 1990
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