功率MOS器件的结构与性能

被引：9

作者：

华伟

机构：

[1] 北方交通大学北京

来源：

通信电源技术 | 2001年 / 03期

关键词：

电力电子器件; 绝缘栅双极晶体管(IGBT); 功率MOSFET晶体管;

D O I：

10.19399/j.cnki.tpt.2001.03.006

中图分类号：

TN432 [场效应型];

学科分类号：

140101 [集成纳电子科学];

摘要：

电力电子器件的结构决定其性能,而器件的性能又决定电路的性能。根据此原理,本文分析比较了近十年来十种实用的具有新型的功率MOS器件的结构与性能特点,包括:NPT-IGBT、PT-IGBT、SDB-IGBT、Trench MOSFET、Trench IGBT、Cool MOSFET、BiMOSFET、HV-IGBT、HS-IGBT、RB-IGBT。

引用

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