Ni基催化剂上CH4、C2H6和C2H4的裂解积炭性能（英文）

采用脉冲微反技术研究了添加半导体氧化物对Ni基催化剂上CH4、C2H6和C2H4的裂解积炭反应特性的影响。结果表明，n型半导体CeO2的添加降低了CH4和C2H6的积炭活性，而p型半导体Co3O4的添加则加速CH4和C2H6的裂解积炭；而对于与CH4和C2H6活化机制不同的C2H4分子的活化，上述影响机制正好相反，n型半导体CeO2的添加促进C2H4的裂解积炭反应，而p型半导体Co3O4的添加则抑制C2H4的裂解积炭反应。XPS分析表明，活性金属Ni与半导体氧化物之间存在的金属-半导体相互作用是这种影响机制的主要因素。