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掺杂半导体β-FeSi2电子结构及几何结构第一性原理研究
被引：39
作者：
潘志军
张澜庭
吴建生
机构：
[1] 上海交通大学材料科学与工程学院教育部高温材料及测试开放实验室,上海交通大学材料科学与工程学院教育部高温材料及测试开放实验室,上海交通大学材料科学与工程学院教育部高温材料及测试开放实验室上海,中国,上海,中国,上海,中国
来源：
关键词：
第一性原理;
电子结构;
热电性能;
FeSi2;
D O I：
暂无
中图分类号：
O471 [半导体理论];
学科分类号：
070204 [等离子体物理];
摘要：
采用基于第一性原理的密度泛函理论全势线性缀加平面波法,使用广义梯度近似处理交换相关势能,首先计算了β-FeSi2的电子结构及其各元素各亚层电子的能态密度,β-FeSi2的电子能态密度主要由Fe的d层电子和Si的p层电子的能态密度确定;其次通过计算不同掺杂系统的总能量确定了掺杂原子在β-FeSi2中的置换位置,在β-FeSi2中,Co置换FeⅡ位置的Fe原子,Al置换SiⅠ位置的Si原子,这种择位置换与现有的计算结果完全一致;最后计算了Fe1-xCoxSi2和Fe(Si1-xAlx)2的电子结构,对它们的电子结构特征进行了分析,并探讨了电子结构对其热电性能(塞贝克系数、电传输及热传输性能)的影响.
引用
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页码：5308 / 5313
页数：6
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