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包含键环境修正的硅氢紧束缚势模型
被引：1
作者：
潘必才
机构：
[1] 中国科学技术大学物理系!合肥
来源：
基金：
中国科学院基金;
关键词：
紧束缚势模型;
半导体;
缺陷;
D O I：
暂无
中图分类号：
O482 [固体性质];
学科分类号：
摘要：
在已有的硅势模型基础上 ,引进氢原子 ,计及Si H键环境的影响 ,构造出新的硅氢紧束缚势模型 .通过测试计算 ,这一新的硅氢势模型显示出较好的传递性 ,可适宜于研究复杂的硅氢体系 .
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页码：268 / 272
页数：5
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