共 1 条
[1]
热传导及其数值分析[M]. 清华大学出版社 , 俞昌铭 编著, 1981
VCSEL稳态热特性分析
被引：3
作者：
赵鼎
林世鸣
机构：
[1] 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
[2] 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 北京
[3] 北京
来源：
关键词：
垂直腔面发射激光器(VCSEL);
热场分布;
稳态;
D O I：
10.16136/j.joel.2004.01.006
中图分类号：
TN248 [激光器];
学科分类号：
0803 ;
080401 ;
080901 ;
摘要：
使用数值方法对氧化层限制型垂直腔面发射激光器(VCSEL)内部稳态热场分布进行了计算,结果显示其分布形式取决于DBR区热导率及其与高阻限制层热导率的差异,并指出在限制层孔径变化及外加电极电压变化时对热场分布的影响;器件中温度最高的部分处于中心氧化限制层附近。有源层中温度沿径向的分布情况表明,在氧化限制孔径下方形成明显的温度台阶是导致器件有源层中产生折射率台阶的主要原因。
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