IGCT器件制造中的阴极梳条成型技术

被引：9

作者：

张明

机构：

[1] 株洲南车时代电气股份有限公司电力电子事业部

来源：

关键词：

IGCT; 梳条; 硅刻蚀; 旋转喷射腐蚀;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN34 [晶闸管（可控硅）];

学科分类号：

070208 [无线电物理];

摘要：

概述了电子器件中的各种硅刻蚀技术,提出了新的旋转喷射硅腐蚀方案,对2种酸腐蚀挖槽方法进行了试验对比。新方法应用于集成门极换相晶闸管(IGCT)器件的梳条成型工艺,获得精密的阴极图形,器件的开关性能优良。

引用

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