GCMC模拟法研究MFI型分子筛膜的吸附特性

用二次生长法制备MFI型分子筛膜 ,并用XRD和SEM对其进行了表征 ,通过测试氮气、氧气、氩气、氖气、氦气在分子筛膜上吸附的相对密度和相对压力相关数据 ,根据数据绘制的吸附等温线 ,都类似于反正切曲线。同时 ,也应用GCMC法 ,计算机模拟这些数据 ,绘制等温线 ,并与实验结果进行比较。结果证实GCMC法的模拟结果是可靠的。GCMC法模拟 ,可以直接应用于这类研究。由于吸附等温线类似于反正切曲线 ,就以类似于反正切函数的线性函数形式 ,建立吸附等温线的数学模型 ,用以定量研究该分子筛膜的吸附特性。进行相关与回归计算发现 ,相对密度与压力差的反正切值之间 ,都呈高度正相关 (r≥ 0 .96 6 4 )。回归方程的回归系数为吸附特征常数 ,回归方程中所有的参数之间 ,也呈高度正相关 (r≥ 0 .95 82 ) ,而且都有一个共同特点 ,即它们的值存在这样的顺序关系 :氧 <氩 <氮 <氖 <氦。这样 ,通过分子筛膜吸附特征常数和这些气体的分子结构 ,有助于探讨MFI分子筛膜的吸附机理。