特高压GIS特快速暂态过电压试验重复击穿过程研究

被引：60

作者：

刘卫东 ^{[1
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汪林森 ^{[1
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陈维江 ^{[2
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戴敏 ^{[3
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李志兵 ^{[4
]}

岳功昌 ^{[1
]}

机构：

[1] 清华大学电机工程与应用电子技术系电力系统及发电设备控制和仿真国家重点实验室

[2] 国家电网公司

[3] 国网电力科学研究院

[4] 中国电力科学研究院

来源：

高电压技术 | 2011年 / 03期

关键词：

特高压; 气体绝缘组合电器(GIS); 特快速暂态过电压(VFTO); 隔离开关; 重复击穿; 残余电压;

D O I：

10.13336/j.1003-6520.hve.2011.03.013

中图分类号：

TM864 [内过电压];

学科分类号：

摘要：

为深入研究重复击穿过程的发生规律,研究隔离开关特性对重复击穿过程的影响,改进隔离开关设计,完善特快速暂态过电压(VFTO)评估方法,采用1100kV气体绝缘组合电器(GIS)试验回路,对GIS隔离开关分闸和合闸空载短母线所产生的触头间隙重复击穿和VFTO进行了试验研究。鉴于重复击穿过程的随机性,进行了约500次分合闸操作试验,统计获得了被试隔离开关在分合闸操作中的触头间隙击穿电压随触头间隙形成时间的变化关系,试验隔离开关的分闸操作末次残余电压基本是以-0.44倍工频电压幅值为期望,0.037倍工频电压幅值为方差的正态分布,合闸操作中的首次击穿工频相位主要集中在50°～90°。基于试验结果,分析了触头间隙重复击穿的发生规律及对VFTO的影响,给出了重复击穿随机过程终止的条件。

引用

页码：644 / 650

页数：7

共 13 条

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