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CMOS电路参数的统计优化设计
被引:3
作者
:
论文数:
引用数:
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机构:
甘学温
论文数:
引用数:
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机构:
冯小敏
论文数:
引用数:
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机构:
肖志广
杜刚
论文数:
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引用数:
0
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0
机构:
北京大学微电子学研究所
杜刚
论文数:
引用数:
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机构:
李佑斌
机构
:
[1]
北京大学微电子学研究所
来源
:
电子学报
|
1999年
/ 05期
关键词
:
实验设计,工艺因素,阈值电压,优化设计;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TN432.02 [];
学科分类号
:
080903 ;
1401 ;
摘要
:
本文提出了一种用实验设计与模拟相结合对CMOS集成电路参数进行统计优化设计的方法,分析工艺因素设置及其起伏对电路参数的影响,建立起电路参数相对主要工艺因素变化的宏模型,并用模型公式找出使电路参数在预期值附近且偏差最小的优化工艺条件.
引用
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页码:127 / 129
页数:3
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