EWT背结电池中的激光刻槽及腐蚀工艺的研究

被引：2

作者：

刘维 ^{[1
]}

周春兰 ^{[2
]}

唐煜 ^{[2
]}

王文静 ^{[2
]}

赵海雷 ^{[1
]}

机构：

[1] 北京科技大学材料学院

[2] 中科院电工研究所

来源：

太阳能学报 | 2009年 / 30卷 / 01期

关键词：

EWT背结电池; 激光刻槽; 损伤层; 少子寿命;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM914.4 [太阳能电池];

学科分类号：

080502 ;

摘要：

采用激光刻槽的方法制备电池背面结构,用化学腐蚀的方法对槽区进行清槽和刻蚀损伤层处理。当激光刻槽工艺参数为I=7.4A,v=50mm/s,激光步长为20μm时,通过改变腐蚀溶液浓度n、腐蚀温度T、和腐蚀时间t等工艺参数,可以有效控制槽区的几何形状。结果发现,当n=12%(w/v)、T=80℃、t=20～30min时,所得槽区表面平整光滑而侧壁垂直陡峭,同时损伤层也得到较为理想的刻蚀效果,能满足后续工艺的制备要求。激光刻槽工艺简单效率高,在保证电池效率的基础上降低了成本,适合EWT背结电池产业化。

引用

页码：89 / 93

页数：5

共 6 条

[1]

Bcak contact buried contact multicrystal siliocn solar cells. Wolfgang Jooβ. . 2002

[2]

Improvement in silicon solar cell efficiency. Green M A,,Blakevs A W,Narayanan S,et al. 18th IEEE Photovoltaic Specialists Conference . 1985

[3]

Emitter wrap through solar cells using electroless plating metallisation. Knauss H,,Jooss W,Roberts S. Proceedings of the 17th EPVSC . 2001

[4]

http://www.iue.tuwien.ac.at/phd/palankovski/ .

[5]

Practical handbook of photovo-ltaics:fundamentals and applications. Markvart T,Casta!er L. . 2003

[6]

The RISEEWT solar cell-a new approach towards simple high efficiency silicon solar cells. Peter Engelhart,,Andreas Teppe,Agnes Merkle. 15th International Photovoltaic Science and Engineering Conference . 2005

← 1 →