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在硅(001)上预沉积β-SiC定向层后金刚石薄膜的定向生长
被引：8
作者：
何贤昶
沈荷生
张志明
万永中
沈挺
机构：
[1] 上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室!上海
[2] 平田精密器材(上海)有限公司!上海
来源：
关键词：
金刚石薄膜;
化学汽相沉积;
预沉积;
化学气相沉积;
俄歇谱;
负偏压;
定向生长;
六甲基二硅胺烷;
衬底材料;
金刚石异质外延;
成核密度;
喇曼谱;
硅衬底;
碳源;
SiC;
D O I：
暂无
中图分类号：
O484 [薄膜物理学];
学科分类号：
080501 ;
1406 ;
摘要：
采用无毒、不易燃的六甲基二硅胺烷和氢气在硅(001)单晶上用施加负偏压处理和化学汽相沉积(CVD)方法预沉积定向的βSiC.傅里叶红外光谱证实βSiC层的存在.微俄歇谱表明在这种方式下,850℃下即生成密集的与硅的三个〈001〉方向平行的碳化硅单晶晶粒.接着用甲烷代替六甲基二硅胺烷作为碳源,在其上继续施加负偏压处理和CVD生长.微俄歇谱表明小正方形渐渐变成大正方形,其成分也从含硅碳变成只含碳.微喇曼谱证实了这一变化过程中的相结构从立方碳化硅变成金刚石.这一生长过程中对应的定向关系为金刚石〈001〉∥βSiC〈001〉∥硅〈001〉.
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