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光纤通信接收机中MOSFET前置放大器的热噪声
被引:1
作者
:
方志豪,朱秋萍
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
武汉大学电子信息学院
方志豪,朱秋萍
机构
:
[1]
武汉大学电子信息学院
来源
:
武汉大学学报(自然科学版)
|
1995年
/ 05期
关键词
:
光接收机,光纤通信,热噪声;
D O I
:
10.14188/j.1671-8836.1995.05.016
中图分类号
:
TN851 [接收机:按形式分];
学科分类号
:
摘要
:
用一种简单明了的新方法推导了MOSFET热噪声电流功率谱密度的通用计算公式,据此计算得到了光纤通信接收机中MOSFET热噪声电流功率谱密度为SID=4KTagmsat或4KTrgdohm,其中a和r是由器件衬底掺杂浓度、栅下氧化层电容大小、漏极电压等参数决定的因子.本文证明了对于光接收机中工作在放大状态的MOSFET,取a=2和r=2/3能较好地符合实际情况,而现有一些光纤通信文献中取a=2/3则是不符合实际情况的.
引用
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页码:615 / 620
页数:6
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