三点源诱骗抗反辐射导弹合成场计算与仿真

被引：11

作者：

吴迪军

侯慧群

李彦志

骆鲁秦

机构：

[1] 空军航空大学航空电子工程系

来源：

电光与控制 | 2008年 / 05期

关键词：

反辐射导弹; 合成场; 诱骗; 仿真;

D O I：

暂无

中图分类号：

TJ760 [一般性问题];

学科分类号：

082501 ; 082601 ; 082602 ;

摘要：

为了解决反辐射导弹在三点源诱骗及多点源诱骗情况下被动雷达导引头处合成场的计算,分析了多点源诱骗系统抗反辐射导弹的条件,对三点源诱骗抗反辐射导弹合成场强和相位进行了推导计算,最后采用Matlab对导弹实时飞行过程中导引头处的合成场的幅度和相位进行了仿真分析,仿真结果验证了模型的有效性。

引用

页码：67 / 69+83 +83

页数：4

共 7 条

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