GaN基发光二极管芯片光提取效率的研究

被引:14
作者
申屠伟进
胡飞
韩彦军
薛松
罗毅
钱可元
机构
[1] 清华大学电子工程系
[2] 清华大学深圳研究生院半导体照明实验室
[3] 清华大学深圳研究生院半导体照明实验室 集成光电子学国家重点联合实验室
[4] 北京
[5] 广东深圳
[6] 集成光电子学国家重点联合实验室
[7] 北京清华大学深圳研究生院半导体照明实验室
关键词
GaN; 发光二极管(LED); 光提取效率; 蒙特卡罗方法;
D O I
10.16136/j.joel.2005.04.001
中图分类号
TN312.8 [];
学科分类号
0803 ;
摘要
基于蒙特卡罗方法模拟分析了限制GaN基发光二极管(LEDs)芯片光提取效率的主要因素。结果表明,GaN与蓝宝石之间的较大折射率差别严重限制了芯片光提取效率的提高,通过蓝宝石背面出光比通过p型GaN层的正面出光的芯片光提取效率至少高20%;同时,低GaN光吸收系数、高电极反射率以及环氧树脂封装可以有效的增加芯片光提取效率,并且LEDs芯片尺寸在400μm以下时光提取效率较高。
引用
收藏
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页数:5
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