V2O5薄膜制备、结构及光学性质研究

被引：12

作者：

吴广明，吴永刚，倪星元，周箴，张慧勤，吴翔

机构：

[1] 同济大学波耳固体物理研究所

来源：

功能材料 | 1999年 / 04期

关键词：

薄膜；V2O5；蒸发;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484 [薄膜物理学];

学科分类号：

080501 ; 1406 ;

摘要：

Ｖ２Ｏ５薄膜是全固态电致变色器件中锂离子储存层的很好候选材料之一。本研究采用反应蒸发，优化实验条件，在加热基片上沉积了性能理想的Ｖ２Ｏ５薄膜，分别采用ＸＲＤ，ＡＥＳ，ＸＰＳ和紫外－近红外分光光度计研究了薄膜的晶态结构、组份、钒离子价态和光学等特性。研究结果表明，刚制备的薄膜为非晶结构，经过一定温度热处理后开始结晶，薄膜的组分为ＶＯ２．４６，含有少量的Ｖ＋４；吸收光谱存在两个不同的变化区域，高能区域对应于电子的带间跃迁，吸收边缘在２．１１ｅＶ，低能区域为Ｖ＋４产生的吸收尾巴

引用

页码：69 / 71+78

页数：4