高压下ZnO晶粒的快速生长及其拉曼光谱研究

被引：2

作者：

张海宁 ^{[1
]}

朱茂电 ^{[1
]}

陆中 ^{[2
]}

机构：

[1] 常州轻工职业技术学院

[2] 江苏工业学院

来源：

化学工业与工程 | 2009年 / 26卷 / 06期

关键词：

ZnO单晶; 高压烧结; 拉曼光谱;

D O I：

暂无

中图分类号：

O614.241 [];

学科分类号：

摘要：

利用陶瓷烧结基本理论以及高压烧结的特点对高压下ZnO晶粒快速生长的现象进行了分析,并结合拉曼光谱对高压下得到的ZnO晶体进行了研究。结果表明:ZnO在高压下烧结时,其晶粒生长速率大大提高,在900℃时约为常压下晶粒生长速率的960倍;高压下ZnO晶粒快速生长的原因可能是由于高压下ZnO中间隙锌离子浓度大大增加所致;通过Raman光谱分析表明高压下生长得到ZnO晶体质量随着温度的升高而有所提高。

引用

页码：487 / 492

页数：6

共 9 条

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