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新型半导体激光器——ZnO紫外激光器
被引:28
作者
:
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
张德恒
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
王卿璞
机构
:
[1]
山东大学物理系,山东大学物理系济南,济南
来源
:
物理
|
2001年
/ 12期
关键词
:
ZnO薄膜;
紫外激光器;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TN248.4 [半导体激光器];
学科分类号
:
080508
[光电信息材料与器件]
;
摘要
:
最近人们发现在室温下ZnO薄膜能产生强烈的光受激辐射 ,这表明此种材料可用于制造紫外光半导体激光器 ,此种激光器在光信息存贮上有广泛应用 .文章介绍了最近几年来用不同方法制备的ZnO薄膜的光受激辐射的研究进展
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页码:741 / 744
页数:4
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