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GaAs MESFET正向肖特基结电压温度特性的研究
被引：9
作者：
冯士维，吕长志，丁广钰
机构：
[1] 北京工业大学电子工程学系
来源：
关键词：
肖特基结;
正向;
实验公式;
GaAs;
MESFET;
负温度系数;
测试电流;
温度特性;
电压;
D O I：
暂无
中图分类号：
O475 [P-N结];
学科分类号：
摘要：
本文对ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ正向肖特基结电压Ｖｇｓｆ随温度的变化特性进行了测量与分。析，得到了在较宽的温度范围内恒定电流下的Ｖｇｓｆ随温度的变化有很好的线性关系，并发现其温度系数α＝ｄＶｇｓｆ／ｄＴ与测试电流有关，随着Ｉ的增大｜α｜减少．经过对试验点的拟合发现，ｋＴ与Ｉ的变化满足指数关系，且Ｖｇｓｆ随温度的变化曲线在不同的测试电流下具有聚焦特性，即在绝对零度时，不同电流下的Ｖｇｓｆ具有相同的值．据此，我们得到了新的肖特基结电流电压关系式，很好地解释了Ｖｇｓｆ－Ｔ曲线与测试电流的关系及其不同测试电流下的聚焦特性．
引用
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页码：747 / 753
页数：7
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