SiC肖特基二极管在升压斩波电路中的应用分析

被引：3

作者：

雷海峰 ^{[1
]}

温家良 ^{[2
]}

金锐 ^{[2
]}

刘明光 ^{[1
]}

机构：

[1] 北京交通大学

[2] 中国电力科学研究院

来源：

电力电子技术 | 2011年 / 45卷 / 06期

关键词：

肖特基二极管; 碳化硅; 反向恢复; 少子寿命;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN311.7 [];

学科分类号：

摘要：

对碳化硅(SiC)肖特基二极管(SBD)在升压斩波电路中的应用进行了深入研究。实验中分别对普通Si二极管和SiC SBD进行了比较,结果表明,SiC二极管具有良好的动态特性,其反向恢复电流约为普通Si二极管的1/4,同时对IGBT开通时的电流过冲有很好的抑制作用。此外,对载流子寿命对二极管反向恢复的影响进行了仿真分析,结果表明,缩短少数载流子寿命能很好地抑制反向恢复电流峰值,减小反向恢复时间。

引用

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