氧分压强和基片温度对脉冲激光沉积的ZnO∶Al膜性能的影响

被引：9

作者：

葛水兵

程珊华

宁兆元

沈明荣

甘肇强

周咏东

褚君浩

机构：

[1] 苏州大学薄膜材料实验室!苏州

[2] 中国科学院上海技术物理研究所!上海

来源：

功能材料 | 2000年 / S1期

关键词：

脉冲激光沉积; ZnO膜; 基片温度; 氧分压强;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

利用脉冲激光法制备了ZnO∶Al透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析 ,详细研究了沉积时的基片温度、氧分压强对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明 :基片温度、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。从电学分析看出 :基片温度从 2 0 0℃升到 30 0℃过程中 ,膜的载流子浓度、透光率和光隙能相应增大。在氧分压强为0Pa、基片温度为 4 0 0℃下沉积的膜 ,其电阻率具有较低值 ,且在可见光区其透光率约为 90 %。

引用

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