C波段GaAs功率场效应晶体管可靠性快速评价技术

被引：5

作者：

徐立生，何建华，苏文华，齐俊臣

机构：

[1] 石家庄电子部第１３研究所

来源：

半导体情报 | 1995年 / 01期

关键词：

GaAs微波功率场效应晶体管，加速寿命试验，可靠性;

D O I：

10.13250/j.cnki.wndz.1995.01.004

中图分类号：

TN32 [半导体三极管（晶体管）];

学科分类号：

摘要：

叙述了一种快速评价ＧａＡｓ微波功率场效应晶体管的方法——高温加速寿命试验，利用该方法对Ｃ波段ＧａＡｓ功率场效应晶体管ＤＸ００１１进行可靠性评估。在偏置Ｖ＿（ＤＳ）＝８Ｖ，Ｉ＿（ＤＳ）＝３７５ｍＡ，沟道温度Ｔｃｈ＝１１０℃，１０年的失效率λ≈２７ＦＩＴ。其主要失效模式是Ｉ＿（ＤＳＳ）退化，激活能Ｅ＝１．２８ｅＶ。

引用

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