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半导体材料少子寿命测试仪的研制开发
被引:4
作者
:
万振华
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海交通大学物理系太阳能研究所
万振华
论文数:
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机构:
崔容强
论文数:
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机构:
徐林
陈凤翔
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机构:
上海交通大学物理系太阳能研究所
陈凤翔
机构
:
[1]
上海交通大学物理系太阳能研究所
来源
:
中国测试技术
|
2005年
/ 02期
关键词
:
少子寿命;
微波反射光电导;
半导体材料;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TN307 [测量和检验];
学科分类号
:
摘要
:
少数载流子寿命(简称少子寿命)是半导体材料的一项重要参数,它对半导体器件的性能、太阳能电池的效率都有重要的影响。我们采用微波反射光电导衰减法研制了一台半导体材料少子寿命测试仪,本文将对测试仪的实验装置、测试原理及程序计算进行了较详细的介绍,并与国外同类产品的测试进行比较,结果表明本测试仪测试结果准确、重复性高,适合少子寿命的实验室研究和工业在线测试
引用
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页码:118 / 120+126 +126
页数:4
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[1]
Microwave detection of minority carriers in solar cell silicon wafers. J. A. Eikelboom et al. Solar Energy Materials . 1995
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