五基色LED照明光源技术进展

被引：14

作者：

刘军林 ^{[1
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莫春兰 ^{[1
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张建立 ^{[1
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王光绪 ^{[1
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徐龙权 ^{[1
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丁杰 ^{[1
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李树强 ^{[1
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王小兰 ^{[1
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吴小明 ^{[1
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潘拴 ^{[1
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方芳 ^{[1
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全知觉 ^{[1
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郑畅达 ^{[1
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郭醒 ^{[1
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陈芳 ^{[1
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江风益 ^{[1
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机构：

[1] 南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心

[2] 南昌黄绿照明有限公司

来源：

照明工程学报 | 2017年 / 28卷 / 01期

基金：

国家重点研发计划;

关键词：

五基色; 高品质; LED照明; 黄光LED;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM923.34 [半导体发光灯];

学科分类号：

摘要：

现有的白光LED是通过蓝光LED激发黄色荧光粉获得的,虽然其光电转换效率已远超白炽灯和日光灯,但其显色指数、色温和光效之间难以协调发展。采用多色高效率LED（红、黄、绿、青、蓝光）可合成低色温、高显色指数、高光效、对人眼安全与舒适的全光谱无荧光粉白光光源,是下一代高品质光源。其难点在于获得高光效黄光LED。目前我们在黄光LED光效提升方面取得重大突破,获得了电光转换功率效率高达21.5%的硅衬底InGaN基黄光LED（565nm,20A/cm2）,对应130 lm/W,远好于文献报道和可查询到的最高水平。基于红、黄、绿、青、蓝五色LED芯片合成的白光灯珠,显色指数94.8,色温3 263K,光效100.5 lm/W,达到了实用化水平。无荧光粉五基色LED照明技术省去了稀土这一稀缺资源,具有现实价值和战略意义,同时在可见光通信、情景照明、智能照明方面有优势。

引用

页码：1 / 4+29 +29

页数：5

共 2 条

[1] High brightness InGaN-based yellow light-emitting diodes with strain modulation layers grown on Si substrate[J] . Jianli Zhang,Chuanbing Xiong,Junlin Liu,Zhijue Quan,Li Wang,Fengyi Jiang.Applied Physics A . 2014 (4)
[2] GaN growth using GaN buffer layer. Nakamura S. Japanese Journal of Applied Physics . 1991

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