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电子增强化学气相沉积法制备金刚石膜
被引：2
作者：
顾长志，王春蕾，金曾孙，吕宪义，邹广田
机构：
[1] 吉林大学原子与分子物理研究所，超硬材料国家重点实验室
来源：
关键词：
电子增强，化学气相沉积，金刚石膜;
D O I：
暂无
中图分类号：
O484.1 [薄膜的生长、结构和外延];
学科分类号：
摘要：
采用ＥＡＣＶＤ方法在Ｓｉ衬底上制备出生长速率高的优质金刚石膜，其生长速率最大可达７μｍ／ｈ，成膜范围φ４０ｍｍ，并对优质金刚石膜的生长特性进行了研究。
引用
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