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硅发光研究
被引：22
作者：
夏建白
机构：
[1] 中国科学院半导体研究所
来源：
关键词：
多孔硅;
硅片;
发光器件;
量子限制效应;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN304.120.1,O472.3 [];
学科分类号：
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要：
硅发光对于在单一硅片上实现光电集成是至关重要的．本文介绍了目前已有的使硅发光的方法：掺深能级杂质，掺稀土离子，多孔硅，纳米硅以及Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格，讨论了两种可能的发光机制：量子限制效应和表面复合效应．最后介绍了两个硅发光器件，表明硅发光器件的前景是光明的
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