利用非晶硅结构的光电容来进行室温红外光电探测

被引：2

作者：

D.Caputo

贡树行

机构：

[1] 意大利罗马大学电子工程系

来源：

关键词：

非晶硅; 价带; 能带结构; 光电容; 红外线辐射; 红外辐射; 响应率; 缺陷密度; 光谱响应; 集中参数测量; 电容测量; 扩展态; 空穴陷阱; 红外光; 器件;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN215 [红外探测、红外探测器];

学科分类号：

摘要：

本文我们提出一种新的器件,它是根据非晶硅材料制成的,通过室温电容测量,能够直接探测红外辐射。该器件是一种p-c-n型叠层结构,这里c表示一层补偿的非晶硅吸收层。器件的运转是基于价带内的扩展态和禁带内的缺陷之间的跃迁而进行的,跃迁是由红外辐射引起的。我们发现:测量的电容敏感于800nm～5μm波段。

引用

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