双离子束辅助沉积TiN薄膜的微观结构及力学性能

被引：3

作者：

向伟

方仁昌

李文治

机构：

[1] 中国工程物理研究院应用电子学研究所

[2] 清华大学材料科学与工程系

来源：

兵器材料科学与工程 | 1999年 / 06期

关键词：

离子束辅助沉积; TiN; 微观结构; 力学性能;

D O I：

10.14024/j.cnki.1004-244x.1999.06.008

中图分类号：

TG174.44 [金属复层保护];

学科分类号：

080503 ;

摘要：

采用双离子束辅助沉积技术制备了ＴｉＮ薄膜，并用ＸＰＳ、ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＴＥＭ和努氏显微硬度计等对薄膜进行了分析测试，结果表明，在溅射沉积的同时，Ｎ＋离子的轰击使ＴｉＮ薄膜主要沿（２００）取向择优生长；离子的轰击也使ＴｉＮ薄膜的表面形貌发生显著的变化，随着轰击Ｎ＋离子能量的增加，ＴｉＮ薄膜的晶粒增大。在盘铣刀片上沉积ＴｉＮ改性薄膜后，其使用寿命大大提高

引用

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