射频MEMS压控电容器

被引：1

作者：

朱健

林立强

林金庭

机构：

[1] 南京电子器件研究所

来源：

固体电子学研究与进展 | 2002年 / 02期

关键词：

射频; 微机电系统; 传输线; 压控电容器;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM53 [电容器];

学科分类号：

080801 ;

摘要：

研究了射频 MEMS压控电容器的设计和制造工艺。压控电容器的制作采用了 MEMS制造技术 ,其主要结构为硅衬底上制作金属传输线电极和介质层 ,然后制作金属膜桥作为电容器的另一个电极。通过改变加在金属膜桥与传输线间的电压达到改变电容值的目的。这种压控电容器可以工作于射频和微波波段 ,具有很高的Q值。测试结果如下 :在 1 GHz、0 V时 Q值达到 3 0 0 ,0偏压电容值为 0 .2 1 p F,当加上驱动电压后 Cmax/ Cmin的变比约为 4∶ 1

引用

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