共 1 条
[1]
半导体光学性质[M] 沈学础著; 科学出版社 1992,
MOCVD与MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的红外探测器特性比较
被引：17
作者：
李娜
李宁
陆卫
窦红飞
陈张海
刘兴权
沈学础
H.H.Tan
LanFu
C.Jagadish
M.B.Johnston
M.Gal
机构：
[1] 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室!上海
来源：
关键词：
GaAs/AlGaAs;
量子阱红外探测器;
MOCVD;
MBE;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN215 [红外探测、红外探测器];
学科分类号：
080508 [光电信息材料与器件];
摘要：
用金属有机物化学气相沉积法 ( MOCVD)生长 Ga As/Al Ga As量子阱材料 ,并制成红外探测器 .测量了材料的光致发光光谱和探测器的光电流响应光谱及其它光电特性 ,峰值波长7.9μm,响应率达到 6× 1 0 3V/W,与分子束外延法 ( MBE)生长的材料和相关器件进行了比较 ,MOCVD法可满足量子阱材料和器件的要求 .
引用
收藏
页码：441 / 444
页数：4
相关论文